Vishay Semiconductor Diodes Division - SE10FJ-M3/I

KEY Part #: K6440123

SE10FJ-M3/I ราคา (USD) [1397927ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.02792
  • 30,000 pcs$0.02778

ส่วนจำนวน:
SE10FJ-M3/I
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB. Rectifiers 1A 600V ESD Prot SMF Rectifier
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division SE10FJ-M3/I electronic components. SE10FJ-M3/I can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SE10FJ-M3/I, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SE10FJ-M3/I คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SE10FJ-M3/I
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 600V 1A DO219AB
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 600V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.05V @ 1A
ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 780ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 600V
ความจุ @ Vr, F : 7.5pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-219AB
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-219AB (SMF)
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • BAV19W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 120V 625mA 1A IFSM

  • GSD2004W-E3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT42W-HE3-18

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM AUTO

  • GSD2004W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 240V 225MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 300 Volt 225mA 50ns

  • BAT42W-G3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA 4A IFSM

  • BAT54W-HE3-08

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 200mA 30 Volt