IXYS-RF - IXFH12N50F

KEY Part #: K6397529

IXFH12N50F ราคา (USD) [10590ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$5.15178
  • 10 pcs$4.63572
  • 100 pcs$3.81153
  • 500 pcs$3.19343

ส่วนจำนวน:
IXFH12N50F
ผู้ผลิต:
IXYS-RF
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 500V 12A TO247.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS-RF IXFH12N50F electronic components. IXFH12N50F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFH12N50F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFH12N50F คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFH12N50F
ผู้ผลิต : IXYS-RF
ลักษณะ : MOSFET N-CH 500V 12A TO247
ชุด : HiPerRF™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 12A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 400 mOhm @ 6A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5.5V @ 2.5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 54nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1870pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 180W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-247 (IXFH)
แพ็คเกจ / เคส : TO-247-3

คุณอาจสนใจด้วย
  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.

  • FCD7N60TM

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD2250N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2.6A TO252-3.