Infineon Technologies - IRF3710ZLPBF

KEY Part #: K6399678

IRF3710ZLPBF ราคา (USD) [53136ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.67732
  • 10 pcs$0.59872
  • 100 pcs$0.47325
  • 500 pcs$0.34717
  • 1,000 pcs$0.27408

ส่วนจำนวน:
IRF3710ZLPBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 100V 59A TO-262.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - RF and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRF3710ZLPBF electronic components. IRF3710ZLPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF3710ZLPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF3710ZLPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRF3710ZLPBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 59A TO-262
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 59A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 18 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 120nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2900pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 160W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-262
แพ็คเกจ / เคส : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

คุณอาจสนใจด้วย
  • VN2406L-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 0.19A TO92-3.

  • VN2224N3-G

    Microchip Technology

    MOSFET N-CH 240V 540MA TO92-3.

  • R8008ANX

    Rohm Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM.

  • IRFI9Z14GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 5.3A TO220FP.

  • IRFIZ24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 60V 14A TO220FP.

  • IRFIBF20GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET N-CH 900V 1.2A TO220FP.