ส่วนจำนวน :
IKB20N65EH5ATMA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
650V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
38A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
60A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.1V @ 15V, 20A
การสลับพลังงาน :
560µJ (on), 130µJ (off)
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
19ns/160ns
ทดสอบสภาพ :
400V, 20A, 32 Ohm, 15V
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
80ns
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
D²PAK (TO-263AB)