ผู้ผลิต :
IDT, Integrated Device Technology Inc
ลักษณะ :
IC SRAM 1M PARALLEL 100TQFP
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
SRAM
เทคโนโลยี :
SRAM - Dual Port, Asynchronous
ขนาดหน่วยความจำ :
1Mb (128K x 8)
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
20ns
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
4.5V ~ 5.5V
อุณหภูมิในการทำงาน :
0°C ~ 70°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
100-TQFP (14x14)