Infineon Technologies - IRFB42N20DPBF

KEY Part #: K6401601

IRFB42N20DPBF ราคา (USD) [29687ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.47634
  • 10 pcs$1.33400
  • 100 pcs$1.01699
  • 500 pcs$0.79100
  • 1,000 pcs$0.65540

ส่วนจำนวน:
IRFB42N20DPBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRFB42N20DPBF electronic components. IRFB42N20DPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRFB42N20DPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRFB42N20DPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRFB42N20DPBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 200V 44A TO-220AB
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 44A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 55 mOhm @ 26A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5.5V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 140nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 3430pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 2.4W (Ta), 330W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

คุณอาจสนใจด้วย