ผู้ผลิต :
ON Semiconductor
ลักษณะ :
IGBT 1100V 50A 300W TO3PN
ประเภท IGBT :
Trench Field Stop
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1100V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
50A
ปัจจุบัน - Collector Pulsed (Icm) :
120A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.6V @ 15V, 50A
Td (เปิด / ปิด) @ 25 ° c :
-
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจ / เคส :
TO-3P-3, SC-65-3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-3PN