ส่วนจำนวน :
APTC60HM24T3G
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
MOSFET 4N-CH 600V 95A SP3
ประเภท FET :
4 N-Channel (H-Bridge)
คุณสมบัติของ FET :
Super Junction
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
95A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
24 mOhm @ 47.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
3.9V @ 5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
300nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
14400pF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SP3