Microsemi Corporation - JANTX1N6629US

KEY Part #: K6448057

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ไดโอด - RF ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in Microsemi Corporation JANTX1N6629US electronic components. JANTX1N6629US can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for JANTX1N6629US, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : JANTX1N6629US

ผู้ผลิต : Microsemi Corporation

ลักษณะ : DIODE GEN PURP 880V 1.4A D5B

ชุด : Military, MIL-PRF-19500/590

สถานะส่วนหนึ่ง : Active

ประเภทไดโอด : Standard

แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 880V

ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1.4A

แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.4V @ 1.4A

ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 50ns

ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 2µA @ 880V

ความจุ @ Vr, F : 40pF @ 10V, 1MHz

ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount

แพ็คเกจ / เคส : SQ-MELF, E

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : D-5B

อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย

GPP60GHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 400V 6A P600.
GPP60DHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 6A P600.
GPP60D-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 200V 6A P600.
GPP60BHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 100V 6A P600.
GPP60AHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 50V 6A P600.
GPP60A-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

DIODE GEN PURP 50V 6A P600.

อะไหล่ร้อน