GeneSiC Semiconductor - GA10JT12-263

KEY Part #: K6399113

หมวดหมู่ครอบครัว:: KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ and โมดูลไดรเวอร์พลังงาน ...

ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:: We specialize in GeneSiC Semiconductor GA10JT12-263 electronic components. GA10JT12-263 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for GA10JT12-263, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

ส่วนจำนวน : GA10JT12-263

ผู้ผลิต : GeneSiC Semiconductor

ลักษณะ : TRANS SJT 1200V 25A

ชุด : -

สถานะส่วนหนึ่ง : Active

ประเภท FET : -

เทคโนโลยี : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1200V

ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 25A (Tc)

ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : -

Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 10A

Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : -

ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : -

Vgs (สูงสุด) : -

อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1403pF @ 800V

คุณสมบัติของ FET : -

กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 170W (Tc)

อุณหภูมิในการทำงาน : 175°C (TJ)

ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount

แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : -

แพ็คเกจ / เคส : -

คุณอาจสนใจด้วย