Toshiba Semiconductor and Storage - CUS520,H3F

KEY Part #: K6457824

CUS520,H3F ราคา (USD) [2710765ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.01440
  • 3,000 pcs$0.01433
  • 6,000 pcs$0.01246
  • 15,000 pcs$0.01059
  • 30,000 pcs$0.00997
  • 75,000 pcs$0.00935
  • 150,000 pcs$0.00831

ส่วนจำนวน:
CUS520,H3F
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SCHOTTKY 30V 200MA. Schottky Diodes & Rectifiers Single Low Leakge
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด and ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage CUS520,H3F electronic components. CUS520,H3F can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CUS520,H3F, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CUS520,H3F คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : CUS520,H3F
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 30V 200MA
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 30V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 200mA
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 280mV @ 10mA
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 30V
ความจุ @ Vr, F : 17pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : SC-76, SOD-323
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : USC
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : 125°C (Max)

คุณอาจสนใจด้วย
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34G-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • BYM07-300-E3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 300 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • BYM07-50-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 50V 500MA DO213AA. Rectifiers 50 Volt 0.5A 50ns Glass Passivated

  • EGL34C-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 150V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 150 Volt 50ns

  • EGL34F-E3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 300V 500MA DO213. Rectifiers 0.5Amp 300 Volt 50ns