ส่วนจำนวน :
APTGF330A60D3G
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
IGBT NPT PHASE 600V 520A D3
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
520A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.45V @ 15V, 400A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
500µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
18nF @ 25V
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจ / เคส :
D-3 Module
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
D3