Infineon Technologies - IPD127N06LGBTMA1

KEY Part #: K6420152

IPD127N06LGBTMA1 ราคา (USD) [164887ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.22432
  • 2,500 pcs$0.20318

ส่วนจำนวน:
IPD127N06LGBTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 60V 50A TO-252.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IPD127N06LGBTMA1 electronic components. IPD127N06LGBTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IPD127N06LGBTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IPD127N06LGBTMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IPD127N06LGBTMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET N-CH 60V 50A TO-252
ชุด : OptiMOS™
สถานะส่วนหนึ่ง : Not For New Designs
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 50A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 12.7 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2V @ 80µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 69nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 2300pF @ 30V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 136W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PG-TO252-3
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

คุณอาจสนใจด้วย
  • IRFR1010ZTRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 42A DPAK.

  • TK15S04N1L,LQ

    Toshiba Semiconductor and Storage

    MOSFET N-CH 40V 15A DPAK.

  • AUIRFR120Z

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 100V 8.7A DPAK.

  • IRLR3103TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 30V 55A DPAK.

  • AUIRLR024NTRL

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 55V 17A DPAK.

  • IRFR3711TRPBF

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 20V 100A DPAK.