IXYS - IXFN210N20P

KEY Part #: K6397361

IXFN210N20P ราคา (USD) [2686ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$16.92898
  • 10 pcs$15.65954
  • 25 pcs$14.38973
  • 100 pcs$13.37390
  • 250 pcs$12.27352

ส่วนจำนวน:
IXFN210N20P
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - SCRs, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXFN210N20P electronic components. IXFN210N20P can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXFN210N20P, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXFN210N20P คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXFN210N20P
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 200V 188A SOT-227B
ชุด : HiPerFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 200V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 188A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 10.5 mOhm @ 105A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 8mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 255nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 18600pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1070W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-227B
แพ็คเกจ / เคส : SOT-227-4, miniBLOC

คุณอาจสนใจด้วย
  • FCD7N60TM-WS

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FCD900N60Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-252-3.

  • FCD380N60E

    ON Semiconductor

    MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK.

  • FCD1300N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 4A TO252.

  • FCD3400N80Z

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 800V 2A DPAK.

  • FCD260N65S3

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 260MOHM TO252.