ผู้ผลิต :
Rohm Semiconductor
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
30V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
2A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
2.5V, 4.5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
1.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
3.9nC @ 4.5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
175pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET :
Schottky Diode (Isolated)
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
900mW (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TSMT5
แพ็คเกจ / เคส :
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5