Texas Instruments - CSD25485F5T

KEY Part #: K6410232

CSD25485F5T ราคา (USD) [349429ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.10585

ส่วนจำนวน:
CSD25485F5T
ผู้ผลิต:
Texas Instruments
คำอธิบายโดยละเอียด:
CSD25485F5T.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Texas Instruments CSD25485F5T electronic components. CSD25485F5T can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD25485F5T, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CSD25485F5T คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : CSD25485F5T
ผู้ผลิต : Texas Instruments
ลักษณะ : CSD25485F5T
ชุด : FemtoFET™
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : P-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 20V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 5.3A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 1.8V, 8V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 900mA, 8V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.3V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 3.5nC @ 4.5V
Vgs (สูงสุด) : -12V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 533pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.4W (Ta)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 3-PICOSTAR
แพ็คเกจ / เคส : 3-XFDFN

คุณอาจสนใจด้วย
  • FCD7N60TF

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 600V 7A DPAK.

  • FDD5810

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 60V 37A DPAK.

  • BSL211SPT

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-TSOP.

  • BSL207SPL6327HTSA1

    Infineon Technologies

    MOSFET P-CH 20V 6A 6-TSOP.

  • IPB05N03LAT

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 80A D2PAK.

  • IPB06N03LAT

    Infineon Technologies

    MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK.