ON Semiconductor - FDC3612_F095

KEY Part #: K6407978

[786ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    FDC3612_F095
    ผู้ผลิต:
    ON Semiconductor
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ and ไดโอด - RF ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in ON Semiconductor FDC3612_F095 electronic components. FDC3612_F095 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FDC3612_F095, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    FDC3612_F095 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : FDC3612_F095
    ผู้ผลิต : ON Semiconductor
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 100V 2.6A 6-SSOT
    ชุด : PowerTrench®
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 100V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 2.6A (Ta)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 6V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 125 mOhm @ 2.6A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 20nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±20V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 660pF @ 50V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 1.6W (Ta)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SuperSOT™-6
    แพ็คเกจ / เคส : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

    คุณอาจสนใจด้วย