Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM10-400HE3/97

KEY Part #: K6457770

BYM10-400HE3/97 ราคา (USD) [675586ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.05475
  • 10,000 pcs$0.04962

ส่วนจำนวน:
BYM10-400HE3/97
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB. Rectifiers 400 Volt 1.0 Amp Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM10-400HE3/97 electronic components. BYM10-400HE3/97 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM10-400HE3/97, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM10-400HE3/97 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BYM10-400HE3/97
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 400V 1A DO213AB
ชุด : SUPERECTIFIER®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 400V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.1V @ 1A
ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : -
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 400V
ความจุ @ Vr, F : 8pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-213AB, MELF (Glass)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-213AB
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • GL41YHE3/97

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 1.6KV 1A DO213AB. Rectifiers 1 Amp 1600 Volt 30 Amp IFSM

  • RGL34JHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 600V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 600 Volt 0.5A 250ns 10 Amp IFSM

  • RGL34BHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34GHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 400 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34DHE3/98

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 200V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 200 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM

  • RGL34BHE3/83

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE GEN PURP 100V 500MA DO213. Diodes - General Purpose, Power, Switching 100 Volt 0.5A 150ns 10 Amp IFSM