NXP USA Inc. - PDTD113ZS,126

KEY Part #: K6527755

[2726ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    PDTD113ZS,126
    ผู้ผลิต:
    NXP USA Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in NXP USA Inc. PDTD113ZS,126 electronic components. PDTD113ZS,126 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for PDTD113ZS,126, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    PDTD113ZS,126 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : PDTD113ZS,126
    ผู้ผลิต : NXP USA Inc.
    ลักษณะ : TRANS PREBIAS NPN 500MW TO92-3
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภททรานซิสเตอร์ : NPN - Pre-Biased
    ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 500mA
    แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 50V
    ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) : 1 kOhms
    ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) : 10 kOhms
    DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce : 70 @ 50mA, 5V
    Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic : 300mV @ 2.5mA, 50mA
    ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 500nA
    ความถี่ - การเปลี่ยน : -
    พลังงาน - สูงสุด : 500mW
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจ / เคส : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-92-3

    คุณอาจสนใจด้วย