Infineon Technologies - BAS40E6433HTMA1

KEY Part #: K6425049

BAS40E6433HTMA1 ราคา (USD) [1709089ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.02164
  • 10,000 pcs$0.02066

ส่วนจำนวน:
BAS40E6433HTMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์ and ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies BAS40E6433HTMA1 electronic components. BAS40E6433HTMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BAS40E6433HTMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BAS40E6433HTMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BAS40E6433HTMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 40V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 120mA (DC)
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1V @ 40mA
ความเร็ว : Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 100ps
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1µA @ 30V
ความจุ @ Vr, F : 5pF @ 0V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SOT-23-3
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • FGD5T120SH

    ON Semiconductor

    IGBT 1200V 5A FS3 DPAK.

  • FGD3N60UNDF

    ON Semiconductor

    IGBT 600V 6A 60W DPAK.

  • BAS40E6433HTMA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 40V 120MA SOT23-3.

  • LXA06B600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 6A TO263AB. Rectifiers X-Series 600V 6A Low Qrr

  • QH05BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 5A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 5A, Rectifier

  • QH08BZ600

    Power Integrations

    DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB. Diodes - General Purpose, Power, Switching Super-Low Qrr. 600V, 8A, Rectifier