Vishay Semiconductor Diodes Division - BYM12-100-E3/96

KEY Part #: K6449075

BYM12-100-E3/96 ราคา (USD) [726662ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.05090
  • 3,000 pcs$0.04454

ส่วนจำนวน:
BYM12-100-E3/96
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB. Rectifiers 100 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division BYM12-100-E3/96 electronic components. BYM12-100-E3/96 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BYM12-100-E3/96, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

BYM12-100-E3/96 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : BYM12-100-E3/96
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 100V 1A DO213AB
ชุด : SUPERECTIFIER®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 100V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 1A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1V @ 1A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 50ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 5µA @ 100V
ความจุ @ Vr, F : 20pF @ 4V, 1MHz
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : DO-213AB, MELF (Glass)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-213AB
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -65°C ~ 175°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • DA3X101K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE GEN PURP 80V 100MA MINI3.

  • 1SS196(TE85L,F)

    Toshiba Semiconductor and Storage

    DIODE GEN PURP 80V 100MA SC59-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching 0.1A 80V Switching Diode S-Mini High

  • DB3X209K0L

    Panasonic Electronic Components

    DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

  • CDBFN140-HF

    Comchip Technology

    DIODE SCHOTTKY 40V 1A SOD323.

  • CMDD2004 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE GEN PURP 250V 200MA SOD323. Diodes - General Purpose, Power, Switching High Voltage Diode 250Vr 300Vrrm 250mW

  • CMDD6263 TR

    Central Semiconductor Corp

    DIODE SCHOTTKY 70V 15MA SOD323.