NXP USA Inc. - BY329-1200,127

KEY Part #: K6453576

[13529ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    BY329-1200,127
    ผู้ผลิต:
    NXP USA Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in NXP USA Inc. BY329-1200,127 electronic components. BY329-1200,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BY329-1200,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BY329-1200,127 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : BY329-1200,127
    ผู้ผลิต : NXP USA Inc.
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220AC
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 1200V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 8A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.85V @ 20A
    ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 135ns
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 1mA @ 1000V
    ความจุ @ Vr, F : -
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-2
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AC
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : 150°C (Max)

    คุณอาจสนใจด้วย
    • C3D03060E

      Cree/Wolfspeed

      DIODE SCHOTTKY 600V 3A TO252-2. Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 600V, 3A

    • DA3X101A0L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE GEN PURP 80V 100MA MINI3.

    • BAS20

      ON Semiconductor

      DIODE GP 200V 200MA SOT23-3. Diodes - General Purpose, Power, Switching SOT23 200mA 150V 50n s

    • 1PS59SB10,115

      NXP USA Inc.

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SMT3.

    • BAS16D-E3-08

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 75V 250MA SOD123. Diodes - General Purpose, Power, Switching 75 Volt 0.25 Amp 2.0A IFSM @ 1uS

    • BAT54W-G3-08

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123. Schottky Diodes & Rectifiers 30Volt 200mA Single