ส่วนจำนวน :
F475R12KS4BOSA1
ผู้ผลิต :
Infineon Technologies
ลักษณะ :
IGBT MODULE VCES 600V 75A
องค์ประกอบ :
Three Phase Inverter
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
1200V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
3.75V @ 15V, 75A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
5mA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
5.1nF @ 25V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 125°C
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Module