ส่วนจำนวน :
APT10SCD65KCT
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
DIODE SILICON 650V 17A TO220
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
การกำหนดค่าไดโอด :
1 Pair Common Cathode
ประเภทไดโอด :
Silicon Carbide Schottky
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) :
650V
ปัจจุบัน - เฉลี่ยแก้ไข (Io) (ต่อไดโอด) :
17A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1.8V @ 10A
ความเร็ว :
No Recovery Time > 500mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) :
0ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
200µA @ 650V
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก :
-55°C ~ 150°C
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-220