Vishay Semiconductor Diodes Division - S5GHE3/9AT

KEY Part #: K6444090

[2568ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    S5GHE3/9AT
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - SCRs, ไดโอด - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division S5GHE3/9AT electronic components. S5GHE3/9AT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for S5GHE3/9AT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    S5GHE3/9AT คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : S5GHE3/9AT
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 400V 5A DO214AB
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 400V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 5A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.15V @ 5A
    ความเร็ว : Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 2.5µs
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 400V
    ความจุ @ Vr, F : 40pF @ 4V, 1MHz
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : DO-214AB, SMC
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AB (SMC)
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • RJU60C2SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 5A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Recovery Diode 600V TO-252 IF=8A

    • RJU60C3SDPD-E0#J2

      Renesas Electronics America

      DIODE GEN PURP 600V 10A TO252. Diodes - General Purpose, Power, Switching FRD 600V/30A/90ns Trr/TO-252

    • VS-50WQ06FNTRRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRLPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-50WQ06FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 60V 5.5A DPAK.

    • VS-30WQ10FNTRPBF

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE SCHOTTKY 100V 3.5A DPAK.