ส่วนจำนวน :
RN2502(TE85L,F)
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS 2PNP PREBIAS 0.3W SMV
ประเภททรานซิสเตอร์ :
2 PNP - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) :
10 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) :
10 kOhms
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
300mV @ 250µA, 5mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100nA (ICBO)
ความถี่ - การเปลี่ยน :
200MHz
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
SC-74A, SOT-753
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SMV