Infineon Technologies - FP10R12W1T7B11BOMA1

KEY Part #: K6532746

FP10R12W1T7B11BOMA1 ราคา (USD) [2466ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$17.55907

ส่วนจำนวน:
FP10R12W1T7B11BOMA1
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
LOW POWER EASY.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไดโอด - RF, ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies FP10R12W1T7B11BOMA1 electronic components. FP10R12W1T7B11BOMA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for FP10R12W1T7B11BOMA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

FP10R12W1T7B11BOMA1 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : FP10R12W1T7B11BOMA1
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : LOW POWER EASY
ชุด : *
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท IGBT : -
องค์ประกอบ : -
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : -
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : -
พลังงาน - สูงสุด : -
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic : -
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : -
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce : -
อินพุต : -
เทอร์มิสเตอร์ NTC : -
อุณหภูมิในการทำงาน : -
ประเภทการติดตั้ง : -
แพ็คเกจ / เคส : -
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : -

คุณอาจสนใจด้วย
  • VS-GB90SA120U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • VS-GB90DA60U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    TRANSISTOR INSLTED GATE BIPOLAR.

  • CPV362M4K

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 31 IMS-2.

  • CPV362M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 3.9A IMS-2.

  • CPV363M4U

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT SIP MODULE 600V 6.8A IMS-2.

  • VS-GB75NA60UF

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    IGBT 600V 70A HS CHOPPER SOT-227. Rectifiers Output & SW Modules SOT-227 IGBT