ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
MOSFET N-CH 500V 18A TO-3PN
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
500V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
18A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
270 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
4V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
80nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
3720pF @ 10V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
90W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-3P(N)IS
แพ็คเกจ / เคส :
TO-3P-3, SC-65-3