Toshiba Semiconductor and Storage - TK16A60W,S4X

KEY Part #: K6417722

TK16A60W,S4X ราคา (USD) [39294ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.04506
  • 2,500 pcs$1.03986

ส่วนจำนวน:
TK16A60W,S4X
ผู้ผลิต:
Toshiba Semiconductor and Storage
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N CH 600V 15.8ADTMOSIV.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, โมดูลไดรเวอร์พลังงาน, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Toshiba Semiconductor and Storage TK16A60W,S4X electronic components. TK16A60W,S4X can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for TK16A60W,S4X, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

TK16A60W,S4X คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : TK16A60W,S4X
ผู้ผลิต : Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ : MOSFET N CH 600V 15.8ADTMOSIV
ชุด : DTMOSIV
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 600V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 15.8A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 7.9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 3.7V @ 790µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 40nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±30V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1350pF @ 300V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 40W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -
ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220
แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3 Full Pack

คุณอาจสนใจด้วย