Vishay Semiconductor Diodes Division - U8DT-E3/4W

KEY Part #: K6445622

U8DT-E3/4W ราคา (USD) [2044ชิ้นสต็อก]

  • 2,000 pcs$0.15192

ส่วนจำนวน:
U8DT-E3/4W
ผู้ผลิต:
Vishay Semiconductor Diodes Division
คำอธิบายโดยละเอียด:
DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ and ไทริสเตอร์ - TRIACs ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division U8DT-E3/4W electronic components. U8DT-E3/4W can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for U8DT-E3/4W, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

U8DT-E3/4W คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : U8DT-E3/4W
ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
ลักษณะ : DIODE GEN PURP 200V 8A TO263AB
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
ประเภทไดโอด : Standard
แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 200V
ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 8A
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.02V @ 8A
ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 20ns
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 200V
ความจุ @ Vr, F : -
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-263AB
อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -55°C ~ 150°C

คุณอาจสนใจด้วย
  • PMEG2010AEK,115

    NXP USA Inc.

    DIODE SCHOTTKY 20V 1A SMT3.

  • BAT54WH6327XTSA1

    Infineon Technologies

    DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOT323.

  • IDB45E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 71A TO263-3.

  • IDB15E60

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 29.2A TO263. Diodes - General Purpose, Power, Switching Fast Switching 600V EmCon Diode

  • IDB09E60ATMA1

    Infineon Technologies

    DIODE GEN PURP 600V 19.3A TO263.

  • SBL1030HE3/45

    Vishay Semiconductor Diodes Division

    DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO220AB.