ISSI, Integrated Silicon Solution Inc - IS45S32400F-7BLA2-TR

KEY Part #: K937775

IS45S32400F-7BLA2-TR ราคา (USD) [18024ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$3.04167
  • 2,500 pcs$3.02653

ส่วนจำนวน:
IS45S32400F-7BLA2-TR
ผู้ผลิต:
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
คำอธิบายโดยละเอียด:
IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128Mb, 3.3V, 143MHz 4M x 32 SDRAM
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: PMIC - วงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้า - เชิงเส้น, การประมวลผลเชิงเส้น - วิดีโอ, อินเทอร์เฟซ - เฉพาะ, PMIC - เร็คกูเลเตอร์แรงดันไฟฟ้า - วัตถุประสงค์พิเศ, ฝังตัว - DSP (โปรเซสเซอร์สัญญาณดิจิตอล), สมองกลฝังตัว - CPLD (อุปกรณ์ตรรกะที่ตั้งโปรแกรมได้, ชิป IC and นาฬิกา / เวลา - บัฟเฟอร์นาฬิกา, ไดรเวอร์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S32400F-7BLA2-TR electronic components. IS45S32400F-7BLA2-TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IS45S32400F-7BLA2-TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IS45S32400F-7BLA2-TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IS45S32400F-7BLA2-TR
ผู้ผลิต : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ลักษณะ : IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภทหน่วยความจำ : Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ : DRAM
เทคโนโลยี : SDRAM
ขนาดหน่วยความจำ : 128Mb (4M x 32)
ความถี่สัญญาณนาฬิกา : 143MHz
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : -
เวลาเข้าถึง : 5.4ns
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 3V ~ 3.6V
อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 105°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 90-TFBGA
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 90-TFBGA (8x13)

ข่าวล่าสุด

คุณอาจสนใจด้วย
  • 71V25761S166PFGI

    IDT, Integrated Device Technology Inc

    IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP. SRAM 128Kx36 SYNC 3.3V PIPELINED BURST SRAM

  • W9812G2KB-6I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 128M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • W9825G2JB-75

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 133MHz,

  • W9825G2JB-6

    Winbond Electronics

    IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 256M SDR SDRAM x32, 166MHz,

  • IS66WVC4M16EALL-7010BLI

    ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

    IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA.

  • W97AH2KBVX2I

    Winbond Electronics

    IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA. DRAM 1Gb LPDDR2, x32, 400MHz, -40 85C