ลักษณะ :
MOSFET N-CH 800V 10A TO-263
ชุด :
HiPerFET™, PolarHT™
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
800V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
10A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
1.1 Ohm @ 5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
5.5V @ 2.5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
40nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
2050pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
300W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
-55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-263 (IXFA)
แพ็คเกจ / เคส :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB