Diodes Incorporated - DMT2004UFDF-13

KEY Part #: K6395990

DMT2004UFDF-13 ราคา (USD) [396444ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.09330
  • 10,000 pcs$0.08222

ส่วนจำนวน:
DMT2004UFDF-13
ผู้ผลิต:
Diodes Incorporated
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Diodes Incorporated DMT2004UFDF-13 electronic components. DMT2004UFDF-13 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT2004UFDF-13, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

DMT2004UFDF-13 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : DMT2004UFDF-13
ผู้ผลิต : Diodes Incorporated
ลักษณะ : MOSFET NCH 24V 14.1A UDFN2020
ชุด : Automotive, AEC-Q101
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 24V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 14.1A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 2.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 9A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 1.45V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 53.7nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±12V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 1683pF @ 15V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 800mW (Ta), 12.5W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : U-DFN2020-6 (Type F)
แพ็คเกจ / เคส : 6-UDFN Exposed Pad

คุณอาจสนใจด้วย