ลักษณะ :
GANFET TRANS 100V 25A BUMPED DIE
สถานะส่วนหนึ่ง :
Discontinued at Digi-Key
เทคโนโลยี :
GaNFET (Gallium Nitride)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
25A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
5V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
7 mOhm @ 25A, 5V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.5V @ 5mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
10nC @ 5V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
950pF @ 50V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
-
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 125°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
Die Outline (11-Solder Bar)