ส่วนจำนวน :
DGD2104MS8-13
ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
การกำหนดค่าขับเคลื่อน :
Half-Bridge
ประเภทเกท :
IGBT, N-Channel MOSFET
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
10V ~ 20V
ตรรกะแรงดันไฟฟ้า - VIL, VIH :
0.8V, 2.5V
ปัจจุบัน - เอาต์พุตสูงสุด (แหล่งที่มา, Sink) :
290mA, 600mA
ประเภทอินพุต :
Non-Inverting
แรงดันไฟฟ้าด้านสูง - สูงสุด (Bootstrap) :
600V
เวลาขึ้น / ตก (ประเภท) :
70ns, 35ns
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SO