Microsemi Corporation - APTM120U10DAG

KEY Part #: K6408119

[8593ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    APTM120U10DAG
    ผู้ผลิต:
    Microsemi Corporation
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 1200V 116A SP6.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - RF and ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Microsemi Corporation APTM120U10DAG electronic components. APTM120U10DAG can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM120U10DAG, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    APTM120U10DAG คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : APTM120U10DAG
    ผู้ผลิต : Microsemi Corporation
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 1200V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 160A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 58A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 5V @ 20mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 1100nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±30V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 28900pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 3290W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -40°C ~ 150°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Chassis Mount
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SP6
    แพ็คเกจ / เคส : SP6

    คุณอาจสนใจด้วย