Vishay Semiconductor Diodes Division - ES2GHE3/5BT

KEY Part #: K6447584

[1374ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    ES2GHE3/5BT
    ผู้ผลิต:
    Vishay Semiconductor Diodes Division
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล and ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้ ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Vishay Semiconductor Diodes Division ES2GHE3/5BT electronic components. ES2GHE3/5BT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for ES2GHE3/5BT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    ES2GHE3/5BT คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : ES2GHE3/5BT
    ผู้ผลิต : Vishay Semiconductor Diodes Division
    ลักษณะ : DIODE GEN PURP 400V 2A DO214AA
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Discontinued at Digi-Key
    ประเภทไดโอด : Standard
    แรงดันไฟฟ้า - DC ย้อนกลับ (Vr) (สูงสุด) : 400V
    ปัจจุบัน - แก้ไขโดยเฉลี่ย (Io) : 2A
    แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า : 1.1V @ 2A
    ความเร็ว : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
    ย้อนกลับเวลาการกู้คืน (TRR) : 50ns
    ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr : 10µA @ 400V
    ความจุ @ Vr, F : 15pF @ 4V, 1MHz
    ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
    แพ็คเกจ / เคส : DO-214AA, SMB
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : DO-214AA (SMB)
    อุณหภูมิในการทำงาน - ทางแยก : -50°C ~ 150°C

    คุณอาจสนใจด้วย
    • MA3X78600L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 30V 100MA MINI3.

    • MA3X74800L

      Panasonic Electronic Components

      DIODE SCHOTTKY 20V 500MA MINI3.

    • 1PS193,115

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • 1PS193,135

      NXP USA Inc.

      DIODE GEN PURP 80V 215MA SMT3.

    • VS-8EWL06FN-M3

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 600V 8A TO252AA. Rectifiers 8A 600V 60ns Hyperfast

    • EGL34GHE3/83

      Vishay Semiconductor Diodes Division

      DIODE GEN PURP 400V 500MA DO213.