ส่วนจำนวน :
CRZ43(TE85L,Q,M)
ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
X35 PB-F DIODE S-FLAT MOQ3000 V
แรงดันไฟฟ้า - ซีเนอร์ (Nom) (Vz) :
43V
ความต้านทาน (สูงสุด) (Zzt) :
40 Ohms
ปัจจุบัน - การรั่วไหลย้อนกลับ @ Vr :
10µA @ 34.4V
แรงดันไฟฟ้า - ไปข้างหน้า (Vf) (สูงสุด) @ ถ้า :
1V @ 200mA
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
S-FLAT (1.6x3.5)