ON Semiconductor - SMUN5213DW1T1G

KEY Part #: K6528847

SMUN5213DW1T1G ราคา (USD) [1113349ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.03339
  • 3,000 pcs$0.03322
  • 6,000 pcs$0.02990
  • 15,000 pcs$0.02658
  • 30,000 pcs$0.02492
  • 75,000 pcs$0.02215

ส่วนจำนวน:
SMUN5213DW1T1G
ผู้ผลิต:
ON Semiconductor
คำอธิบายโดยละเอียด:
TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors), ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - อาร์เรย์, ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - โสด and ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in ON Semiconductor SMUN5213DW1T1G electronic components. SMUN5213DW1T1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SMUN5213DW1T1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SMUN5213DW1T1G คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SMUN5213DW1T1G
ผู้ผลิต : ON Semiconductor
ลักษณะ : TRANS 2NPN PREBIAS 0.187W SOT363
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภททรานซิสเตอร์ : 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) : 100mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) : 50V
ตัวต้านทาน - ฐาน (R1) : 47 kOhms
ตัวต้านทาน - ฐานอีซีแอล (R2) : 47 kOhms
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce : 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic : 250mV @ 300µA, 10mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) : 500nA
ความถี่ - การเปลี่ยน : -
พลังงาน - สูงสุด : 187mW
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : SC-88/SC70-6/SOT-363

คุณอาจสนใจด้วย