Vishay Siliconix - SIDR140DP-T1-GE3

KEY Part #: K6396167

SIDR140DP-T1-GE3 ราคา (USD) [74078ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.52783

ส่วนจำนวน:
SIDR140DP-T1-GE3
ผู้ผลิต:
Vishay Siliconix
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - RF, ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยวลำเอียงก่อน, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์ and ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์ ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Vishay Siliconix SIDR140DP-T1-GE3 electronic components. SIDR140DP-T1-GE3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SIDR140DP-T1-GE3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

SIDR140DP-T1-GE3 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : SIDR140DP-T1-GE3
ผู้ผลิต : Vishay Siliconix
ลักษณะ : MOSFET N-CHAN 25V PPAK SO-8DC
ชุด : TrenchFET® Gen IV
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 25V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 79A (Ta), 100A (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 0.67 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.1V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 170nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : +20V, -16V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 8150pF @ 10V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 6.25W (Ta), 125W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : PowerPAK® SO-8DC
แพ็คเกจ / เคส : PowerPAK® SO-8

คุณอาจสนใจด้วย
  • DMP6110SVT-13

    Diodes Incorporated

    MOSFET P-CH 60V TSOT26.

  • SSN1N45BTA

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92.

  • IRFI9Z24GPBF

    Vishay Siliconix

    MOSFET P-CH 60V 8.5A TO220FP.

  • DMG9N65CT

    Diodes Incorporated

    MOSFET N-CH 650V 9A TO220AB.

  • DMG4N60SCT

    Diodes Incorporated

    MOSFET NCH 600V 4.5A TO220.

  • FDN8601

    ON Semiconductor

    MOSFET N-CH 100V 2.7A 3SSOT.