ส่วนจำนวน :
APTGF180DH60G
ผู้ผลิต :
Microsemi Corporation
ลักษณะ :
POWER MODULE IGBT 600V 180A SP6
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
องค์ประกอบ :
Asymmetrical Bridge
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
600V
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
220A
Vce (บน) (สูงสุด) @ Vge, Ic :
2.5V @ 15V, 180A
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
300µA
อินพุตความจุ (Cies) @ Vce :
8.6nF @ 25V
ประเภทการติดตั้ง :
Chassis Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
SP6