NXP USA Inc. - BUK954R4-80E,127

KEY Part #: K6400043

[3534ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    BUK954R4-80E,127
    ผู้ผลิต:
    NXP USA Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ลำเอียงแบบ, ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - อาร์เรย์ and ไดโอด - RF ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK954R4-80E,127 electronic components. BUK954R4-80E,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK954R4-80E,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK954R4-80E,127 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : BUK954R4-80E,127
    ผู้ผลิต : NXP USA Inc.
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
    ชุด : TrenchMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 80V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 4.2 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.1V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 123nC @ 5V
    Vgs (สูงสุด) : ±10V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 17130pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 349W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • VP2206N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 60V 640MA TO92-3.

    • VN0106N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3.

    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • TN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

    • IRLI530GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 100V 9.7A TO220FP.

    • IRFIZ34GPBF

      Vishay Siliconix

      MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP.