ส่วนจำนวน :
IS61LV12824-10TQI-TR
ผู้ผลิต :
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
ลักษณะ :
IC SRAM 3M PARALLEL 100TQFP
สถานะส่วนหนึ่ง :
Not For New Designs
ประเภทหน่วยความจำ :
Volatile
ฟอร์แมตหน่วยความจำ :
SRAM
เทคโนโลยี :
SRAM - Asynchronous
ขนาดหน่วยความจำ :
3Mb (128K x 24)
เขียนรอบเวลา - Word, หน้า :
10ns
อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ :
Parallel
แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน :
3.135V ~ 3.6V
อุณหภูมิในการทำงาน :
-40°C ~ 85°C (TA)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
100-TQFP (14x20)