IXYS - IXTY1N80

KEY Part #: K6394738

IXTY1N80 ราคา (USD) [46760ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$1.20311

ส่วนจำนวน:
IXTY1N80
ผู้ผลิต:
IXYS
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - อาร์เรย์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ทรานซิสเตอร์ - FETs, MOSFETs - RF, ทรานซิสเตอร์ - Unijunction ที่ตั้งโปรแกรมได้, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โมดูล and ไดโอด - RF ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in IXYS IXTY1N80 electronic components. IXTY1N80 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IXTY1N80, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IXTY1N80 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IXTY1N80
ผู้ผลิต : IXYS
ลักษณะ : MOSFET N-CH 800V 750MA TO-252AA
ชุด : -
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : N-Channel
เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 800V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 750mA (Tc)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 11 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4.5V @ 25µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 8.5nC @ 10V
Vgs (สูงสุด) : ±20V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 220pF @ 25V
คุณสมบัติของ FET : -
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 40W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-252AA
แพ็คเกจ / เคส : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63