ส่วนจำนวน :
RD3P200SNFRATL
ผู้ผลิต :
Rohm Semiconductor
ลักษณะ :
RD3P200SNFRA IS A POWER MOSFET F
ชุด :
Automotive, AEC-Q101
เทคโนโลยี :
MOSFET (Metal Oxide)
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
100V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
20A (Ta)
ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) :
4V, 10V
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
46 mOhm @ 20A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
2.5V @ 1mA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
55nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
2100pF @ 25V
กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) :
20W (Tc)
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-252
แพ็คเกจ / เคส :
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63