ผู้ผลิต :
Toshiba Semiconductor and Storage
ลักษณะ :
TRANS NPN 25V 0.8A S-MINI
ปัจจุบัน - นักสะสม (Ic) (สูงสุด) :
800mA
แรงดันไฟฟ้า - ตัวทำลาย Emitter สะสม (สูงสุด) :
25V
Vce Saturation (สูงสุด) @ Ib, Ic :
400mV @ 20mA, 500mA
ปัจจุบัน - Collector Cutoff (สูงสุด) :
100nA (ICBO)
DC กระแสที่ได้รับ (hFE) (ต่ำสุด) @ Ic, Vce :
160 @ 100mA, 1V
ความถี่ - การเปลี่ยน :
120MHz
อุณหภูมิในการทำงาน :
150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
TO-236