NXP USA Inc. - BUK653R5-55C,127

KEY Part #: K6400077

[8872ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    BUK653R5-55C,127
    ผู้ผลิต:
    NXP USA Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไทริสเตอร์ - DIACs, SIDACs, ทรานซิสเตอร์ - วัตถุประสงค์พิเศษ, ไทริสเตอร์ - TRIACs, ไดโอด - ซีเนอร์ - โสด, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไดโอด - วงจรเรียงกระแสแบบบริดจ์, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์ and ไดโอด - ความจุตัวแปร (Varicaps, Varactors) ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in NXP USA Inc. BUK653R5-55C,127 electronic components. BUK653R5-55C,127 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK653R5-55C,127, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK653R5-55C,127 คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : BUK653R5-55C,127
    ผู้ผลิต : NXP USA Inc.
    ลักษณะ : MOSFET N-CH 55V 120A TO220AB
    ชุด : TrenchMOS™
    สถานะส่วนหนึ่ง : Obsolete
    ประเภท FET : N-Channel
    เทคโนโลยี : MOSFET (Metal Oxide)
    ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 55V
    ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 120A (Tc)
    ไดรฟ์แรงดันไฟฟ้า (สูงสุด Rds On, Min Rds On) : 4.5V, 10V
    Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 3.9 mOhm @ 25A, 10V
    Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 2.8V @ 1mA
    ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 191nC @ 10V
    Vgs (สูงสุด) : ±16V
    อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 11516pF @ 25V
    คุณสมบัติของ FET : -
    กำลังงานสูญเสีย (สูงสุด) : 263W (Tc)
    อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 175°C (TJ)
    ประเภทการติดตั้ง : Through Hole
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : TO-220AB
    แพ็คเกจ / เคส : TO-220-3

    คุณอาจสนใจด้วย
    • LP0701N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET P-CH 16.5V 0.5A TO92-3.

    • TN0104N3-G

      Microchip Technology

      MOSFET N-CH 40V 0.45A TO92-3.

    • R6008ANX

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM.

    • BUK951R8-40EQ

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 40V TO-220AB.

    • PMN35EN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 5.1A 6TSOP.

    • PMN38EN,165

      NXP USA Inc.

      MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP.