Infineon Technologies - IRF7380TRPBF

KEY Part #: K6523187

IRF7380TRPBF ราคา (USD) [174381ชิ้นสต็อก]

  • 1 pcs$0.21211
  • 4,000 pcs$0.18126

ส่วนจำนวน:
IRF7380TRPBF
ผู้ผลิต:
Infineon Technologies
คำอธิบายโดยละเอียด:
MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC.
Manufacturer's standard lead time:
มีสินค้า
อายุการเก็บรักษา:
หนึ่งปี
ชิปจาก:
ฮ่องกง
เป็นไปตามมาตรฐาน:
วิธีการชำระเงิน:
วิธีการจัดส่ง:
หมวดหมู่ครอบครัว:
KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ไดโอด - ซีเนอร์ - อาร์เรย์, ไดโอด - RF, ทรานซิสเตอร์ - เจเอฟอีที, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - เดี่ยว, ไทริสเตอร์ - SCRs - โมดูล, ทรานซิสเตอร์ - ไบโพลาร์ (BJT) - อะเรย์, ทรานซิสเตอร์ - IGBTs - โสด and ไดโอด - วงจรเรียงกระแส - เดี่ยว ...
ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
We specialize in Infineon Technologies IRF7380TRPBF electronic components. IRF7380TRPBF can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for IRF7380TRPBF, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

IRF7380TRPBF คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

ส่วนจำนวน : IRF7380TRPBF
ผู้ผลิต : Infineon Technologies
ลักษณะ : MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC
ชุด : HEXFET®
สถานะส่วนหนึ่ง : Active
ประเภท FET : 2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET : Logic Level Gate
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) : 80V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c : 3.6A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs : 73 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id : 4V @ 250µA
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs : 23nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds : 660pF @ 25V
พลังงาน - สูงสุด : 2W
อุณหภูมิในการทำงาน : -55°C ~ 150°C (TJ)
ประเภทการติดตั้ง : Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : 8-SO

คุณอาจสนใจด้วย