Micron Technology Inc. - MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D TR

KEY Part #: K920789

[356ชิ้นสต็อก]


    ส่วนจำนวน:
    MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D TR
    ผู้ผลิต:
    Micron Technology Inc.
    คำอธิบายโดยละเอียด:
    IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA.
    Manufacturer's standard lead time:
    มีสินค้า
    อายุการเก็บรักษา:
    หนึ่งปี
    ชิปจาก:
    ฮ่องกง
    เป็นไปตามมาตรฐาน:
    วิธีการชำระเงิน:
    วิธีการจัดส่ง:
    หมวดหมู่ครอบครัว:
    KEY Components จำกัด เป็นตัวแทนจำหน่ายชิ้นส่วนอิเล็กทรอนิกส์ที่มีประเภทสินค้ารวมถึง: ฝังตัว - ไมโครโปรเซสเซอร์, เอ็มเบ็ดเด็ด - FPGAs (อะเรย์เกทที่สามารถตั้งโปรแกร, หน่วยความจำ - Proms การกำหนดค่าสำหรับ FPGA, Clock / Timing - จับเวลาและโปรแกรมที่สามารถตั้งโปร, อินเตอร์เฟซ - บันทึกเสียงและเล่น, PMIC - สวิตช์การกระจายพลังงาน, โหลดไดรเวอร์, PMIC - วงจรควบคุมแรงดันไฟฟ้า - เชิงเส้น and PMIC - PFC (แก้ไขตัวประกอบกำลัง) ...
    ความได้เปรียบทางการแข่งขัน:
    We specialize in Micron Technology Inc. MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D TR electronic components. MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D TR can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D TR, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D TR คุณสมบัติของผลิตภัณฑ์

    ส่วนจำนวน : MT53D2048M32D8QD-046 WT ES:D TR
    ผู้ผลิต : Micron Technology Inc.
    ลักษณะ : IC DRAM 64G 2133MHZ FBGA
    ชุด : -
    สถานะส่วนหนึ่ง : Active
    ประเภทหน่วยความจำ : Volatile
    ฟอร์แมตหน่วยความจำ : DRAM
    เทคโนโลยี : SDRAM - Mobile LPDDR4
    ขนาดหน่วยความจำ : 64Gb (2G x 32)
    ความถี่สัญญาณนาฬิกา : 2133MHz
    เขียนรอบเวลา - Word, หน้า : -
    เวลาเข้าถึง : -
    อินเตอร์เฟสหน่วยความจำ : -
    แรงดันไฟฟ้า - อุปทาน : 1.1V
    อุณหภูมิในการทำงาน : -30°C ~ 85°C (TC)
    ประเภทการติดตั้ง : -
    แพ็คเกจ / เคส : -
    แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ : -

    คุณอาจสนใจด้วย
    • MX25L3236DM2I-10G

      Macronix

      IC FLASH 32MBIT.

    • S34ML04G104BHV010

      Cypress Semiconductor Corp

      IC FLASH 4G PARALLEL 63BGA. NAND Flash Nand

    • IS43LR32160B-6BLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA. DRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 16Mx32 DDR Mobile

    • IS61WV102416EDBLL-10B2LI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48MGA. SRAM 16Mb 10ns 1Mbx16 Async SRAM 2.4V-3.6V

    • IS61WV102416EDBLL-10BLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC SRAM 16M PARALLEL 48MGA.

    • IS29LV032B-70BLI

      ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

      IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA.