ผู้ผลิต :
Diodes Incorporated
ลักษณะ :
MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC
สถานะส่วนหนึ่ง :
Obsolete
ประเภท FET :
2 N-Channel (Dual)
คุณสมบัติของ FET :
Standard
ระบายแรงดันไฟฟ้าที่แหล่งที่มา (Vdss) :
60V
ปัจจุบัน - การระบายอย่างต่อเนื่อง (Id) @ 25 ° c :
3.5A
Rds On (สูงสุด) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (สูงสุด) @ Id :
-
ค่า Gate (Qg) (สูงสุด) @ Vgs :
30nC @ 10V
อินพุตความจุ (Ciss) (สูงสุด) @ Vds :
435pF @ 25V
ประเภทการติดตั้ง :
Surface Mount
แพ็คเกจ / เคส :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
แพ็คเกจผู้จำหน่ายอุปกรณ์ :
8-SOP